製品情報シャープについてサポート・お問い合わせ法人のお客様へ
シャープについて
メニュー:会社情報メニュー:投資家情報メニュー:社会環境活動メニュー:採用情報メニュー:ニュースリリース

ニュースリリースの検索はこちら (新しいウィンドウが開きます)
ニュースリリース 2012年5月29日

シャープとJSTが酸化物半導体に関するライセンス契約を締結

シャープは、科学技術振興機構(理事長:中村 道治、以下 JST)と、酸化物半導体(IGZO※1)を用いた薄膜トランジスタに関する特許のライセンス契約を、本年1月20日に締結しました。当社がIGZOを採用した液晶パネルの本格的な生産に移行したことから、このたびJSTとの合意に基づき、本件についてお知らせいたします。

当該特許は、東京工業大学(学長:伊賀 健一)の細野秀雄教授らが、JSTの創造科学技術推進事業※2のプロジェクトにおいて発明したもので、東京工業大学などの出願を含め数十の特許群から構成され、JSTが一括でライセンスを実施しています。2004年同教授らは、薄膜トランジスタに用いると、従来の液晶パネルで採用されているアモルファスシリコンに比べて電子移動度が1桁高いことを見出し、同年11月には科学雑誌「Nature(ネイチャー)」で成果発表しました。

シャープでは、このIGZOを採用した高性能な液晶パネルを株式会社半導体エネルギー研究所(本社:神奈川県厚木市、代表取締役社長:山ア 舜平)と共同開発。その生産を、亀山第2工場で3月より開始し、4月から本格的な生産に移行しています。高精細化と低消費電力化が図れるため、モバイル機器や高精細ノートPC、高精細液晶モニターなどの幅広いアプリケーション向けに供給し、新しい商品市場の創造に貢献してまいります。

※1 In(インジウム)、Ga(ガリウム)、Zn(亜鉛)から構成される酸化物

※2 現在の同機構の戦略的創造研究推進事業 総括実施型研究

100周年記念サイト : http://www.sharp.co.jp/100th/

(注)ニュースリリースに記載されている内容は、報道発表日時点の情報です。ご覧になった時点で、内容が変更になっている可能性がありますので、あらかじめご了承下さい。

このページのトップへ
ホーム > シャープについて > ニュースリリース> シャープとJSTが酸化物半導体に関するライセンス契約を締結