窒化ガリウム(GaN)パワーデバイス^※1市場に参入、電気製品の省エネ化に貢献

定格電圧600V パワートランジスタ^※2を開発

シャープは、電気製品の省エネ化に貢献する定格電圧600Vの窒化ガリウム(GaN)パワートランジスタを開発し、4月15日よりサンプル出荷を開始します。本年中に福山工場の6インチラインで生産開始を目指します。

パワートランジスタは、電力を変換する電源回路^※3やインバータ回路^※4に組み込まれるキーデバイスです。電気製品の更なる省エネ化に向け、通電時の抵抗など物性の理論限界値に到達しつつあるシリコン(Si)に代わって、新材料を採用したパワートランジスタの需要拡大が見込まれています。

当社は、長年培ってきたLSIプロセス技術とLEDなどの化合物半導体技術を融合させ、窒化ガリウム(GaN)を採用した定格電圧600Vのパワートランジスタの開発に成功しました。本デバイスは、従来のシリコン(Si)パワートランジスタに比べて通電時やスイッチ動作時の電力ロスが少ないため、省エネ化に貢献します。また、高速のスイッチ動作が可能となるため、コイルなど周辺部品の小型・軽量化を実現します。

当社は、本デバイスに周辺部品を加えたモジュール^※5の事業展開も図り、電気製品の小型・省エネ化に貢献して参ります。

※1 パワートランジスタやパワーダイオードなど電力を制御する半導体素子の総称

※2 増幅またはスイッチ動作をさせる半導体素子

※3 交流を直流に変換する回路

※4 直流を交流に変換する回路

※5 本デバイスやコイル、トランジスタなどの周辺部品を集め電源回路として設計したもの。モジュールを提供することにより、短期間での製品化に貢献できる。