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長寿命の48倍速CD-R/RW用高出力レーザ（260〜280mW）を開発した。AlGaAs系化合物半導体からなる量子井戸活性層およびクラッド層の結晶成長はMBE法を採用した。さらに，レーザ端面の光学破壊（COD）を防ぐために，端面近傍の量子井戸層を無秩序化してバンド吸収端を広げた端面窓構造を試作し，パルス260ｍW（75℃）で2000時間以上にわたって劣化のない高出力レーザを実現した。MBE法ではＰ型不純物としてBeを使用するため，端面無秩序化のための熱プロセス中のBe拡散の影響が少なく，窓形成による特性（しきい値電流Ith，スロープ効率η等）の変化が少ないという利点がある。本試作により得られた主な特性は，Ith=30mA，η=0.95（W/A），To=130K，COD（CW）＞390mW，COD（パルス）＞680ｍWである。
We have developed high power laser diodes for 48 times high speed CD-R/RW.
AlGaAs Quantum-Well layers were grown by MBE(Molecular Beam Epitaxy) method.
Window-structure has been developed utilizing QWI(Quantum Well Intermixing).
Window region prevents mirror surfaces from optical damage. MBE method
uses Be as p-type dopant. The diffusion of Be is little during the thermal
process. As a result, no degradation is obtained for more than 2000 hours
under 260 mW pulse operation with 50ns width, 50% duty at 75℃. Ith((theshold
current)=30mA,η(slope efficient)= 0.97, To(temperature coefficient of
Ith)=130K , and COD(catastrohpic optical damage) power>300mW are obtained.
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