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数値シミュレーションを用いて，結晶シリコン太陽電池の基板裏面の酸化パッシベーション効果について，数値モデルを用いたシミュレーションを行うとともに，実デバイスの評価を行った。シミュレーション結果からは，Ｐ型基板と酸化パッシベーション膜との界面の表面再結合速度が10×10cm/s以下の場合に酸化パッシベーションがセル特性改善に有効に働くことが判った。シミュレーション結果に基づいて高変換効率単結晶シリコン太陽電池を評価した結果，基板裏面の表面再結合速度は10×10cm/sレベルの低い値であることが確認された。また，本検討の数値シミュレーションは，設定値と実デバイスの特性が結び付いて，実デバイスの評価に非常に有効なツールであることも確認された。
Using numerical simulation techniques, the passivation effect of a silicon dioxide film under the back surface of a crystalline silicon solar cell was studied and the effect in a practical cell was evaluated. The calculation result showed that the oxide passivation technique enhances cell performance well when the surface recombination velocity on the rear surface of the p-type substrate under the silicon dioxide passivation film is below 10×10cm/s. The recombination velocity on the rear surface of the high conversion efficiency single crystalline silicon solar cell was evaluated at a low value of 10×10cm/s. Since the calculation parameters can cooperate with the characteristics of the practical device, this numerical simulation is a very effective tool to evaluate the practical device parameters.
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