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パッケージ一覧 PDF(524KB)
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SiP（System in Package）
システム・イン・パッケージとは、複数個のICまたはパッケージを積層することによりメモリの大容量化や機能の複合化を実現する弊社独自の高密度実装技術です。システム・イン・パッケージ技術とは、パッケージの中に複数個のICを 積層したチップスタックドパッケージ技術で１個のパッケージ内に５層までのチップスタックが可能です。システム・イン・パッケージ技術の採用により、携帯電話、デジタルカメラなどのアプリケーションの小型／軽量化、高機能化を実現します。
■ チップスタックドCSP
特長
豊富なラインアップ
2チップスタックドCSP（2層）、3チップスタックドCSP（3層）、4チップスタックドCSP（4層）、 5チップスタックドCSP（5層）の技術を保有しており、それぞれ幅広いパッケージラインアップを揃えております。
小型／薄型化
従来のプラスチックパッケージに複数個のICを積層することにより、 実装面積の低減が可能です。また、ウェーハの薄型化技術により、パッケージ高さ1.4mm（MAX.）を実現しました。
機能の複合化
“ASIC＋メモリ”など、種類もサイズも異なる複数個のICの1パッケージ化が可能なため、機能の複合化を実現します。
同一サイズの
IC積層可能
同一サイズのICを積層可能なため、メモリの大容量化などに貢献します。
実装面積の削減
(4チップスタックドCSP)
メモリチップを4個搭載した場合と比較すると、2チップスタックドCSP2個、 または3チップスタックドCSP＋CSPでは、実装面積を1/2、または重量を1/2に削減できます。
断面構造例
■ チップスタックドTSOP/QFP*/VQFN/HQFN
特長
実装面積の削減
従来のプラスチックパッケージにIC2個を搭載することにより、実装面積の削減が可能です。
2つの異なるICはもちろんのこと、2つの同一ICを1パッケージ化できます。
機能の複合化
”ASIC+メモリ”など、種類もサイズも異なる複数個のICを1パッケージ化でき、機能の複合化を実現します。
メモリの大容量化
2つの同一メモリICを搭載する場合、同一面積あたりのメモリ容量が倍増します。
断面構造例
＊ TQFP、LQFPを含む。
SOF
■ SOF（System On Film）
SOFは弊社TCP技術を活用したフィルムパッケージです。
高柔軟性フィルムの使用により折り曲げ易く、また、応用商品の小型/薄型化に貢献します。
特長
高柔軟性/
薄型フィルム使用
高柔軟性／薄型フィルムを使用しており、応用商品の小型／薄型化が図れます。
端子のファインピッチ化、多出力化が可能です。
チップ下フィルム面にパターン配線が可能なため、パターン配線の自由度が向上し、設計の自由度が高くなります。
マルチチップ
実装可能
複数チップの搭載が可能なため、応用商品の高機能化を実現します。
断面構造例
フィルム仕様
フィルム幅：W
1
35mm
スーパーワイド
48mm
スーパーワイド
70mmワイド
実効パターン領域：W
2
28.6mm
41.6mm
59.0mm
最大デバイスピッチ：L
15スプロケット
銅箔厚
8μm
銅箔種類
電解銅箔
銅箔メッキ
錫（Sn）
最小パターンピッチ
0.025mm
スプロケットホール：A
1.981mm(ワイド仕様)/1.42mm(スーパーワイド仕様）
スプロケットホール：B
1.981mm(ワイド仕様)/1.42mm(スーパーワイド仕様）
※おことわり
本資料に掲載されている製品をご使用の際には、必ず最新の仕様書をご用命のうえ、その内容をご確認頂きますようお願いします。 掲載製品につき、仕様書に記載されている絶対最大定格や使用上の注意事項等を逸脱して使用され、万一掲載製品の使用機器に瑕疵が生じ、 それに伴う損害が発生しましても、 弊社はその責を負いませんのでご了承ください。本ページに掲載機種は、 特記のない限りRoHS指令＊に対応しています。詳細については弊社営業窓口までお問い合わせください。 ＊RoHS指令：鉛、カドミウム、六価クロム、水銀、特定臭素系難然剤（PBB・PBDE）使用禁止。但し、適用除外項目有り。 なお、本資料に関してご不明な点がございましたら、事前に弊社販売窓口までご連絡頂きますようお願い致します。
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