産業用太陽光発電 > 製品ラインアップ > シースルーモジュール





| 形名 |
シースルーモジュール |
| 公称最大出力※1 |
95W |
| 公称最大出力動作電圧 |
42.7V |
| 公称最大出力動作電流 |
2.23A |
| 公称開放電圧 |
56.9V |
| 公称短絡電流 |
2.70A |
| 開口率 |
10%※2 |
| 外形寸法(幅×奥行×高さ)※3 |
1,402×1,001×9.5mm |
| 質量 |
33kg |
- ※1
- 表記の数値は、JIS C8991に基づくAM1.5、放射照度1,000W/m2、モジュール温度25℃で測定した代表的な値です。
- ※2
- 開口率10%とは、セル発電領域内のシリコン成膜部分を、レーザー加工にて10%除去した割合を指します。
- ※3
- 端子ボックスの寸法は除きます。



| 形名 |
シースルーモジュール |
| 公称最大出力※1 |
77W |
| 公称最大出力動作電圧 |
43.3V |
| 公称最大出力動作電流 |
1.78A |
| 公称開放電圧 |
56.9V |
| 公称短絡電流 |
2.20A |
| 開口率 |
10%※2 |
| 外形寸法(幅×奥行×高さ)※3 |
1,150×1,001×9.5mm |
| 質量 |
28kg |
- ※1
- 表記の数値は、JIS C8991に基づくAM1.5、放射照度1,000W/m2、モジュール温度25℃で測定した代表的な値です。
- ※2
- 開口率10%とは、セル発電領域内のシリコン成膜部分を、レーザー加工にて10%除去した割合を指します。
- ※3
- 端子ボックスの寸法は除きます。



| 形名 |
シースルーモジュール |
| 公称最大出力※1 |
46W |
| 公称最大出力動作電圧 |
43.3V |
| 公称最大出力動作電流 |
1.07A |
| 公称開放電圧 |
56.9V |
| 公称短絡電流 |
1.30A |
| 開口率 |
10%※2 |
| 外形寸法(幅×奥行×高さ)※3 |
701×1,001×9.5mm |
| 質量 |
17kg |
- ※1
- 表記の数値は、JIS C8991に基づくAM1.5、放射照度1,000W/m2、モジュール温度25℃で測定した代表的な値です。
- ※2
- 開口率10%とは、セル発電領域内のシリコン成膜部分を、レーザー加工にて10%除去した割合を指します。
- ※3
- 端子ボックスの寸法は除きます。



| 形名 |
シースルーモジュール |
| 公称最大出力※1 |
80W |
| 公称最大出力動作電圧 |
41.5V |
| 公称最大出力動作電流 |
1.93A |
| 公称開放電圧 |
57.0V |
| 公称短絡電流 |
2.40A |
| 開口率 |
20%※2 |
| 外形寸法(幅×奥行×高さ)※3 |
1,402×1,001×9.5mm |
| 質量 |
33kg |
- ※1
- 表記の数値は、JIS C8991に基づくAM1.5、放射照度1,000W/m2、モジュール温度25℃で測定した代表的な値です。
- ※2
- 開口率20%とは、セル発電領域内のシリコン成膜部分を、レーザー加工にて20%除去した割合を指します。
- ※3
- 端子ボックスの寸法は除きます。



| 形名 |
シースルーモジュール |
| 公称最大出力※1 |
66W |
| 公称最大出力動作電圧 |
41.5V |
| 公称最大出力動作電流 |
1.60A |
| 公称開放電圧 |
57.0V |
| 公称短絡電流 |
2.00A |
| 開口率 |
20%※2 |
| 外形寸法(幅×奥行×高さ)※3 |
1,150×1,001×9.5mm |
| 質量 |
28kg |
- ※1
- 表記の数値は、JIS C8991に基づくAM1.5、放射照度1,000W/m2、モジュール温度25℃で測定した代表的な値です。
- ※2
- 開口率20%とは、セル発電領域内のシリコン成膜部分を、レーザー加工にて20%除去した割合を指します。
- ※3
- 端子ボックスの寸法は除きます。



| 形名 |
シースルーモジュール |
| 公称最大出力※1 |
39W |
| 公称最大出力動作電圧 |
41.5V |
| 公称最大出力動作電流 |
0.94A |
| 公称開放電圧 |
57.0V |
| 公称短絡電流 |
1.20A |
| 開口率 |
20%※2 |
| 外形寸法(幅×奥行×高さ)※3 |
701×1,001×9.5mm |
| 質量 |
17kg |
- ※1
- 表記の数値は、JIS C8991に基づくAM1.5、放射照度1,000W/m2、モジュール温度25℃で測定した代表的な値です。
- ※2
- 開口率20%とは、セル発電領域内のシリコン成膜部分を、レーザー加工にて20%除去した割合を指します。
- ※3
- 端子ボックスの寸法は除きます。
