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携帯電話向けカメラモジュールの高画質化及び低消費電力化を実現するアナログ・フロントエンド（AFE）を開発した。主な特長は，独自の高精細ゲイン制御技術と低消費電力化回路技術を有することである。AFEの主要ブロックである可変ゲイン増幅器（VGA）において，負帰還と共に正帰還を有するスイッチトキャパシタ（SC）回路を適用することにより，ゲインレンジ０〜24dB，ゲインステップ0.094dBを実現した。また，上記SC回路のスイッチ動作を工夫することにより，消費電力を30％削減した。本稿では，VGAのゲイン制御技術及び低消費電力化技術について解説する。
The authors have developed an Analog Front End (AFE), which enables camera modules for cellular phones to achieve higher picture quality and lower power consumption.
This paper describes circuit design technique for high accuracy gain control and low power consumption, which are key features of the AFE. One of its main blocks is a Variable Gain Amplifier (VGA) composed of a new Switched Capacitor (SC) circuit with both positive and negative feedback, which enables the VGA to achieve a gain range from 0 to 24 dB and a gain step of 0.094 dB. A new switching operation for SC circuit reduces the power consumption by 30 percent.
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